CB500型納米壓痕儀/納米劃痕儀/微米壓痕儀/微米壓痕儀

n產品簡介：

       CB500是美國NANOVEA公司推出的一款高性價比納米壓痕儀，該系統集成納米壓痕儀、納米劃痕儀、微米壓痕儀、微米壓痕儀四個功能模塊于一身，這款納米壓痕儀采用模塊化設計，可在一款儀器下實現納米與微米/大載荷三個尺度下的壓痕，劃痕與摩擦磨損測試，進而可得到硬度、彈性模量、蠕變信息、彈塑性、斷裂韌度、應力-應變曲線、膜基結合力、劃痕硬度、摩擦系數、磨損率等微觀力學數據。

n產品特性： 

-  模塊化設計：可在一臺儀器集成納米壓痕儀、納米劃痕儀、微米壓痕儀、微米劃痕儀4款儀器。

- 納米壓痕測試完全符合國際ISO14577與美國ASTM E2546標準，劃痕測試完全符合ISO 20502、1518、ASTM、D7027、D1624、D7187、C171標準。

- 納米壓痕載荷加載系統：采用閉環載荷加載垂直加載，準確性遠遠優于傳統的開環載荷加載技術及懸臂加載技術，可保證施加載荷的精準性。

- 納米壓痕載荷驅動方式：高精度壓電陶瓷驅動，精度遠遠優于電磁力驅動。

- NANOVEA專利技術（專利號：EP0663068 A1 1995）高精度電容式傳感器來能夠保證系統夠實現高精度的測量可保證壓入深度與劃入深度實時測量。

- 納米壓痕采用encoder高精度光柵尺樣品臺，定位精度可達250nm以內。

-  納米壓痕采用獨特的熱飄逸控制技術：納米壓痕儀的熱飄逸為<0.05nm/s，同時通過專業的硬度測試軟件，利用熱飄逸補償技術可將熱飄逸總量控制在1nm以內；另外，儀器采用立式結構，電子單元在左右兩邊，熱量往上漂不會對電子單元產生影響，從而得到非常小的熱漂移。

- 劃痕具有全景成像模式

- NANOVEA公司專利金剛石面積函數校準技術（專利號：No. 3076153）只需要壓一次就可以對針尖面積函數進行校準實現精確測量！！！

n主要技術參數：

1）納米壓痕儀：

- 靜態加載模式最大加載載荷：80mN /400mN/1800mN/4800mN

- 動態加載模式DMA:0.1-100Hz

- 載荷分辨率：3nN

- 可實現的最小載荷：0.1mN

- 加載速率：0.04-12000mN/min

- 最大壓入深度（電容傳感器）： 250μm/1mm

- 位移分辨率：0.0003nm

- 快速壓痕功能：做100個mapping點只需5分鐘

- 熱飄逸<0.05nm/s(室溫條件下)

2）納米劃痕儀：

- 劃痕正向力最大載荷：80mN /400mN/1800mN/4800mN

- 載荷分辨率：3nN

- 劃痕正向力最小載荷：0.1mN

- 最大劃痕深度：250µm/1mm

- 最大劃痕長度：50mm

- 劃痕速度：0.05-600mm/min

- 位移分辨率：0.0003nm

- 最大深度：250μm/1mm

- 深度分辨率：0.0003nm

-  最大摩擦力：400mN/1800mN

- 摩擦力分辨率：7μN

3）微米壓痕儀：

- 最大加載載荷：40N/200N

- 載荷分辨率：2.4μN /12μN

- 載荷噪聲水平（RMS）：0.1mN/0.5mN

- 可實現的最小載荷：2mN/10mN

- 加載速率：0.01-500N/min / 0.05-1000N/min

- 快速壓痕功能：做100個mapping點只需12分

- 深度范圍（電容式傳感器）：1mm

-  深度分辨率：0.01nm

- 深度分噪聲水平（RMS）: 0.5nm

4）微米劃痕儀：

- 劃痕正向力最大載荷：40N/200 N

- 劃痕正向力最小載荷：2mN/10mN

- 最大劃痕深度：1mm

- 深度分辨率：0.01nm

- 深度分噪聲水平（RMS）: 0.5nm

- 最大劃痕長度：50mm

- 劃痕速度：0.1-1200mm/min

- 最大摩擦力：20N/200N

- 摩擦力分辨率：1.3mN/13mN

5）精密定位平臺：

- XY方向移動范圍：100mm*50mm

- Z方向允許的最大樣品空間：150mm

- 工作臺XY方向定位分辨率：10nm

- 工作臺XY方向定位精度：250nm

- Z方向可自動移動移動范圍：50mm

6）光學金相顯微鏡成像系統：

- 物鏡的放大倍率分別為：5X，10X，20X，50X，1000X

- 總的放大倍率分別為：400X，800X，1600X，4000X，8000X，

7）原子力顯微鏡AFM的技術參數（高分辨率）：

- XYZ方向最大掃描范圍：100µm *100µm *12µm

- XY方向移動分辨率：0.1nm

- Z方向的測量分辨率：0.02nm