8寸研發(fā)級(jí)CMP拋光機(jī)
型號(hào):AP-200
產(chǎn)地:韓國(guó)
關(guān)鍵字:化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)、拋光機(jī)
n產(chǎn)品簡(jiǎn)介
韓國(guó)CTS公司的AP200型CMP拋光機(jī)是一款科研級(jí)的CMP系統(tǒng),采用CTS公司工業(yè)級(jí)的設(shè)計(jì)理念,為科研工作者及先進(jìn)制程開(kāi)發(fā)公司提供了一套研究級(jí)別的高端設(shè)備,可兼容4寸,6寸,8寸樣品。
n產(chǎn)品主要特色
- CMP拋光頭:采用氣囊加載模式,核心區(qū),邊緣區(qū),保持環(huán)三區(qū)壓力控制,可得到良好的工業(yè)級(jí)拋光效果;

- 自動(dòng)上下片,自動(dòng)拋光,干進(jìn)濕出;
- 拋光墊修整器:擺臂式設(shè)計(jì),由10個(gè)傳感器分別控制10個(gè)區(qū)域的下壓力,可保證拋光墊高水平修整;
- 拋光墊修整器:具有在線(xiàn)修整與離線(xiàn)修整兩種模式;
- 工藝數(shù)據(jù)可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè);

- 可存儲(chǔ)多個(gè)Recipe。
n核心技術(shù)參數(shù)
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拋光頭 |
兼容4寸,6寸,8寸 |
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拋光頭擺動(dòng)范圍 |
±15mm |
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拋光頭轉(zhuǎn)速 |
0 ~ 200 rpm |
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拋光頭加壓方式 |
氣囊柔性加壓背壓功能(3區(qū)加壓) |
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拋光頭壓力范圍 |
0.14 ~ 14 psi |
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拋光盤(pán)尺寸 |
20英寸 |
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拋光盤(pán)轉(zhuǎn)速 |
0 ~ 200 rpm |
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蠕動(dòng)泵 |
2個(gè) |
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拋光液流速 |
20 ~ 500 cc/min |
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拋光墊修整器分區(qū) |
10區(qū) |
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拋光墊修整器在線(xiàn)掃描速度 |
19sweeps/min |
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拋光墊修整器下壓力 |
3-20lbs |
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拋光墊修整器轉(zhuǎn)速 |
0-150rpm |
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CMP后片內(nèi)非均勻性WIWNU 1sigma,去邊5mm |
< 5% |
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CMP后片間非均勻性WTWNU 1sigma,去邊5mm |
< 3% |
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儀器尺寸 |
1000 × 2030 × 2100(W x L x H, mm) |
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冷卻系統(tǒng) |
可選 |
n應(yīng)用案例
- CMP工藝 Si CMP, 氧化物 CMP(BPSG, TEOS, ThOx), 金屬 CMP(W, Cu), 介質(zhì)膜,STI等
- 工藝開(kāi)發(fā) 可協(xié)助客戶(hù)進(jìn)行各類(lèi)材料/薄膜等的CMP工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)
產(chǎn)品中心
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三維表面形貌儀
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Mountains分析軟件
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微納米力學(xué)測(cè)試系統(tǒng)
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摩擦磨損試驗(yàn)機(jī)
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SIC晶錠滾磨機(jī)/晶圓減薄機(jī)
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CMP化學(xué)機(jī)械拋光/后清洗機(jī)
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晶圓粘片機(jī)
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臨時(shí)鍵合機(jī)/解鍵合機(jī)
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晶圓厚度/三維形貌/膜厚測(cè)量系統(tǒng)
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表面顆粒度檢測(cè)系統(tǒng)
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原子力顯微鏡
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拉曼顯微鏡
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紅外光譜儀
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4D生物顯微鏡
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晶圓AOI系統(tǒng)
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晶圓電阻率/方塊電阻測(cè)量?jī)x
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納米壓印系統(tǒng)
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光柵尺寸無(wú)損檢測(cè)儀
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磁控濺射/熱蒸發(fā)/電子束鍍膜系統(tǒng)
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LPCVD/PECVD
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干法刻蝕
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等離子灰化去膠系統(tǒng)
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晶圓勻膠機(jī)/噴膠機(jī)
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晶圓烤膠系統(tǒng)(熱板)
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濕法(顯影刻蝕清洗)系統(tǒng)
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晶圓貼片機(jī)/貼膜/解膠機(jī)
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棱鏡耦合儀
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快速退火爐/真空高溫爐
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光刻膠邊緣分析
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劃片機(jī)
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平面磨床/金屬研磨機(jī)
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接觸角測(cè)量?jī)x