半自動晶圓厚度測量系統(tǒng)
型號:SemDex M2
產(chǎn)地:德國
關(guān)鍵字:TTV、Bow、Warp TSV、RST、薄膜厚度、晶圓厚度、粗糙度,關(guān)鍵尺寸。
n產(chǎn)品簡介:
SemDex M 型晶圓厚度測量系統(tǒng)是德國SENTRONICS半導(dǎo)體公司一款高性能的半自動晶圓厚度測量系統(tǒng),該系統(tǒng)可集成紅外光譜干涉測量技術(shù),光學(xué)干涉技術(shù)及光學(xué)反射技術(shù)探頭,廣泛用于半導(dǎo)體Wafer Manufacturing, FEOL, BEOL to Wafer Level Packaging領(lǐng)域,SENTRONICS以其精準(zhǔn)的測量能力,非接觸的測量方式,快速的測試速度,上下雙探頭符合SEMI標(biāo)準(zhǔn)的測試方式,使得該設(shè)備在半導(dǎo)體,MEMS,在化合物外延領(lǐng)域晶圓厚度測量擁有很高的市場占有率,在全球半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)超有100個Fab工廠已安裝該系統(tǒng)。
n主要功能:
1、紅外光譜技術(shù):采用專利的光譜相干干涉技術(shù),該技術(shù)可用于測量最小厚度為1um的wafer, 分辨率可達納米量級,主要用于測量晶圓的厚度、TTV、Bow、Warp、RST、wafer上薄膜厚度。
配置單探頭系統(tǒng),可以測量一些對紅外線透明的材料,例如Si, GaAs, InP, SiC, 玻璃,石英和一些聚合物,還可以測量常規(guī)有圖形、有膠帶、凸起或者鍵合在載體上晶圓的襯底厚度。
配置雙探頭系統(tǒng)時,還提供晶圓整體厚度測量(包括襯底厚度和在光不能穿透的情況下的圖形高度厚度)。
還可以用于測量溝槽深度和通孔深度(包括微機電中的高深寬比的溝槽和通孔),微機電應(yīng)用中薄膜厚度測量和凸塊高度測量。
2、白光干涉技術(shù):采用白光干涉技術(shù),可得到wafer表面的3D形貌,表面粗糙度,TSV等關(guān)鍵尺寸,測量范圍為0-100um,分辨率為亞納米水平。
3、光學(xué)反射技術(shù):采用光學(xué)反射技術(shù),可得到wafer表面涂層或薄膜的厚度,可測量最小厚度5nm的薄膜,分辨率為亞納米量級。
n產(chǎn)品特點:
1、兼容4,6,8,12寸樣品;
2、所有檢測數(shù)據(jù),一步同時完成測量;
3、可在一臺儀器上搭配不同技術(shù)的測量探頭,用于測量晶圓的厚度、TTV、Bow、Warp、RST、wafer上薄膜厚度,3D形貌,TSV,關(guān)鍵尺寸,粗糙度等參數(shù)。
4、M系列測量臺為無振動測量的空氣懸浮臺(M2型號可選裝高速旋轉(zhuǎn)臺);
5、可在現(xiàn)場將半自動系統(tǒng)升級為全自動系統(tǒng)(M1升級為M2),減少換機工作量和時間;
6、符合SEMI S2和S8標(biāo)準(zhǔn);
7、用戶界面友好的WaferSpect 軟件,軟件具有mapping功能,可以多點測試后提供樣片測試的mapping圖。
n應(yīng)用行業(yè):
- 化合物半導(dǎo)體:研磨芯片厚度控制GaAs,InP, SiC,GaN
- 硅基器件前段:功率器件,MEMS,射頻MEMS
- 硅基器件后段:8”和12”的封裝及bumping線,TSV(硅通孔技術(shù))
- LED:可用作檢測藍寶石或碳化硅片厚度及TTV
- 光通訊:石英材料類
n典型應(yīng)用案例:

網(wǎng)站關(guān)鍵詞:臨時鍵合機 濕法系統(tǒng) 濕法臺 濕法臺 金屬減薄機 晶圓貼片機 晶圓貼膜機 金屬研磨機 微米劃痕儀 CMP拋光機 CMP拋光機 納米劃痕儀 晶圓厚度測量系統(tǒng) 晶圓厚度測量系統(tǒng) 晶圓厚度測量系統(tǒng) 晶圓厚度測量系統(tǒng) 晶圓厚度測量系統(tǒng) 拉曼顯微鏡 三維表面形貌儀 掃描超聲顯微鏡 化學(xué)機械拋光機 CMP后清洗機 CMP后清洗機 CMP后清洗機 棱鏡耦合儀 棱鏡耦合儀 超聲顯微鏡
產(chǎn)品中心
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