科研級(jí)晶圓厚度測(cè)量系統(tǒng)

n產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

SemDex M1型晶圓厚度測(cè)量系統(tǒng)是德國(guó)SENTRONICS半導(dǎo)體公司一款高性能的半自動(dòng)晶圓厚度測(cè)量系統(tǒng)，該系統(tǒng)可集成紅外光譜干涉測(cè)量技術(shù)，光學(xué)干涉技術(shù)及光學(xué)反射技術(shù)探頭，廣泛用于半導(dǎo)體Wafer Manufacturing, FEOL, BEOL to Wafer Level Packaging領(lǐng)域，SENTRONICS以其精準(zhǔn)的測(cè)量能力，非接觸的測(cè)量方式，快速的測(cè)試速度，上下雙探頭符合SEMI標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試方式，使得該設(shè)備在半導(dǎo)體，MEMS，在化合物外延領(lǐng)域晶圓厚度測(cè)量擁有很高的市場(chǎng)占有率,在全球半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)有200多個(gè)Fab工廠已安裝該系統(tǒng)。

n主要功能：

1、紅外光譜技術(shù)：采用專利的光譜相干干涉技術(shù)，該技術(shù)可用于測(cè)量最小厚度為1um的wafer, 分辨率可達(dá)納米量級(jí)，主要用于測(cè)量晶圓的厚度、TTV、Bow、Warp、RST、wafer上薄膜厚度。

   配置單探頭系統(tǒng)，可以測(cè)量一些對(duì)紅外線透明的材料，例如Si, GaAs, InP, SiC, 玻璃，石英和一些聚合物，還可以測(cè)量常規(guī)有圖形、有膠帶、凸起或者鍵合在載體上晶圓的襯底厚度。

   配置雙探頭系統(tǒng)時(shí)，還提供晶圓整體厚度測(cè)量（包括襯底厚度和在光不能穿透的情況下的圖形高度厚度)。

   還可以用于測(cè)量溝槽深度和通孔深度（包括微機(jī)電中的高深寬比的溝槽和通孔），微機(jī)電應(yīng)用中薄膜厚度測(cè)量和凸塊高度測(cè)量。

2、白光干涉技術(shù)：采用白光干涉技術(shù)，可得到wafer表面的3D形貌，表面粗糙度，TSV等關(guān)鍵尺寸，測(cè)量范圍為0-100um，分辨率為亞納米水平。

3、光學(xué)反射技術(shù)：采用光學(xué)反射技術(shù)，可得到wafer表面涂層或薄膜的厚度，可測(cè)量最小厚度5nm的薄膜，分辨率為亞納米量級(jí)。

n產(chǎn)品特點(diǎn)：

1、兼容4,6,8,12寸樣品；

2、所有檢測(cè)數(shù)據(jù)，一步同時(shí)完成測(cè)量；

3、可在一臺(tái)儀器上搭配不同技術(shù)的測(cè)量探頭，用于測(cè)量晶圓的厚度、TTV、Bow、Warp、RST、wafer上薄膜厚度，3D形貌，TSV，關(guān)鍵尺寸，粗糙度等參數(shù)。

4、測(cè)量臺(tái)為無振動(dòng)測(cè)量的空氣懸浮臺(tái)；

5、符合SEMI S2和S8標(biāo)準(zhǔn)；

6、用戶界面友好的WaferSpect 軟件，軟件具有mapping功能,可以多點(diǎn)測(cè)試后提供樣片測(cè)試的mapping圖。 

n應(yīng)用行業(yè)：

- 化合物半導(dǎo)體：研磨芯片厚度控制GaAs，InP, SiC，GaN 

- 硅基器件前段：功率器件，MEMS，射頻MEMS

- 硅基器件后段：8”和12”的封裝及bumping線，TSV(硅通孔技術(shù))

- LED：可用作檢測(cè)藍(lán)寶石或碳化硅片厚度及TTV

- 光通訊：石英材料類

n典型應(yīng)用案例：

網(wǎng)站關(guān)鍵詞：臨時(shí)鍵合機(jī)  濕法系統(tǒng)  濕法臺(tái)  濕法臺(tái)  金屬減薄機(jī)  晶圓貼片機(jī)  晶圓貼膜機(jī)  金屬研磨機(jī)   微米劃痕儀  CMP拋光機(jī)    納米劃痕儀  晶圓厚度測(cè)量系統(tǒng)  晶圓厚度測(cè)量系統(tǒng)  晶圓厚度測(cè)量系統(tǒng)   晶圓厚度測(cè)量系統(tǒng)  拉曼顯微鏡  三維表面形貌儀  掃描超聲顯微鏡  化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)  CMP后清洗機(jī)  CMP后清洗機(jī)   CMP后清洗機(jī)  棱鏡耦合儀  棱鏡耦合儀  超聲顯微鏡