濕法刻蝕專用系統(tǒng)

n產(chǎn)品簡介

CHEMIXX E 30 濕法刻蝕系統(tǒng)專門用于掩膜版與晶圓的刻蝕與清洗，安全性能好，可使用 H2SO4, H2O2,NH4OH,HF,BOE等液體。

n產(chǎn)品特色

÷ 人工裝卸半自動化系統(tǒng)

÷ 掩膜版尺寸（方形襯底）高達(dá) 230 x 230 毫米/9 x 9 英寸

÷ 晶圓尺寸高達(dá) 300 毫米（Ø12 英寸）

÷ 耐腐蝕工藝室

÷ 兩個自動輸送臂，用于化學(xué)刻蝕及清洗

÷ 輸送臂最大6路管路

÷ 提供多種噴嘴

÷ 低接觸或定制夾頭

÷ 化學(xué)液具有加熱選項(xiàng)：20 - 80°C

÷ 腔室沖洗噴嘴系統(tǒng)

÷ 去離子水的 BSR（背面沖洗）噴嘴

÷ 工藝室外的手動去離子水槍

÷ 最大的集成3個化學(xué)試劑容器罐（每個 10 升），具有化學(xué)液自動排放系統(tǒng)

÷ 不同化學(xué)品的外部化學(xué)試劑容器罐可選（H2SO4、H2O2、NH4OH、HF、BOE）

÷ 手動灌裝或通過批量灌裝系統(tǒng)

÷  清洗模組可選用化學(xué)液，噪聲，PVA刷洗，高壓等離子水沖洗

÷  支持SCES/GEM 通訊協(xié)議

n技術(shù)數(shù)據(jù)

÷ 襯底尺寸: 最大可達(dá) 230 x 230 mm (9″x 9″) 或 Ø 300mm (Ø12″)

÷ 電機(jī)轉(zhuǎn)速: 最大 4.000 rpm, 步長 1 rpm

÷ 電機(jī)加速: 最大 5.000 rpm/s, 步長 1 rpm/s

÷ 步進(jìn)時間: 1 至 999.9 秒，步長 0.1 s

÷ 工藝腔材料: PP  (可選 PVDF)

網(wǎng)站關(guān)鍵詞：臨時鍵合機(jī)  濕法系統(tǒng)  濕法臺  濕法臺  金屬減薄機(jī)  晶圓貼片機(jī)  晶圓貼膜機(jī)  金屬研磨機(jī)   微米劃痕儀  CMP拋光機(jī)    納米劃痕儀  晶圓厚度測量系統(tǒng)  晶圓厚度測量系統(tǒng)  晶圓厚度測量系統(tǒng)   晶圓厚度測量系統(tǒng)  拉曼顯微鏡  三維表面形貌儀  掃描超聲顯微鏡  化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)  CMP后清洗機(jī)  CMP后清洗機(jī)   CMP后清洗機(jī)  棱鏡耦合儀  棱鏡耦合儀  超聲顯微鏡  CMP拋光機(jī)  化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)  晶圓擴(kuò)膜機(jī)  晶圓擴(kuò)膜機(jī)  晶圓擴(kuò)膜機(jī)  晶圓擴(kuò)膜機(jī)  臨時鍵合機(jī)  晶圓貼片機(jī)  晶圓貼片機(jī)  晶圓貼片機(jī)