4,6,8寸工業級CMP化學機械拋機
型號:SAERO2K
產地:韓國
關鍵字:化學機械拋光機、工業級化學機械拋光機、全自動化學機械拋光機
n產品簡介
韓國CTS公司的SAERO2K型CMP拋光機是一款全自動工業級CMP系統,4寸,6寸,8寸可選,用于半導體工廠及批量量產。
n產品主要特色
- CMP拋光頭:采用氣囊加載模式,3區壓力分區控制,可得到良好的工業級拋光效果。
- 自動上下片,自動拋光,干進干出。
- 拋光墊修整器:擺臂式設計,拋光墊分10區修整控制,可調整修整器下壓力及每個區域的修整時間,可保證拋光墊高水平修整。
- 拋光墊修整器:具有在線修整與離線修整兩種模式。
- 工藝數據可實時監測。
- 可存儲多個Recipe。
- 帶全自動手臂及自動雙面清洗設備模塊。

n核心技術參數
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拋光頭 |
4寸,6寸,8寸 |
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拋光頭數量 |
2個/4個 |
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拋光頭擺動范圍 |
±15mm |
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拋光頭轉速 |
0 ~ 200 rpm |
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拋光頭加壓方式 |
氣囊柔性加壓背壓功能(3區加壓) |
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拋光頭壓力范圍 |
0.14 ~ 14 psi |
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拋光盤尺寸 |
20英寸 |
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拋光盤數量 |
1個/2個 |
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拋光盤轉速 |
0 ~ 200 rpm |
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蠕動泵 |
2個 |
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拋光液流速 |
0 ~ 500 cc/min |
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拋光墊修整器分區 |
10區 |
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拋光墊修整器在線掃描速度 |
10sweeps/min |
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拋光墊修整器下壓力 |
3-20lbs |
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拋光墊修整器轉速 |
0-150rpm |
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CMP后片內非均勻性WIWNU 1sigma,去邊5mm |
< 5% |
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CMP后片間非均勻性WTWNU 1sigma,去邊5mm |
< 3% |
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后清洗系統 |
包含 |
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冷卻系統 |
包含高壓DIW沖洗,雙面PVA刷洗,化學液清洗,高速甩干等功能。 |
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EFEM |
包含 |
n應用案例
CMP工藝 Si CMP, 氧化物 CMP(BPSG, TEOS, ThOx), 金屬 CMP(W, Cu), 介質膜,STI等
網站關鍵詞:臨時鍵合機 濕法系統 濕法臺 濕法臺 金屬減薄機 晶圓貼片機 晶圓貼膜機 金屬研磨機 微米劃痕儀 CMP拋光機 納米劃痕儀 晶圓厚度測量系統 晶圓厚度測量系統 晶圓厚度測量系統 晶圓厚度測量系統 拉曼顯微鏡 三維表面形貌儀 掃描超聲顯微鏡 化學機械拋光機 CMP后清洗機 CMP后清洗機 CMP后清洗機 棱鏡耦合儀 棱鏡耦合儀 超聲顯微鏡 CMP拋光機 化學機械拋光機 晶圓擴膜機 晶圓擴膜機 晶圓擴膜機 晶圓擴膜機 臨時鍵合機 晶圓貼片機 晶圓貼片機 晶圓貼片機
產品中心
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三維表面形貌儀
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Mountains分析軟件
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微納米力學測試系統
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摩擦磨損試驗機
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SIC晶錠滾磨機/晶圓減薄機
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CMP化學機械拋光/后清洗機
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晶圓粘片機
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臨時鍵合機/解鍵合機
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晶圓厚度/三維形貌/膜厚測量系統
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表面顆粒度檢測系統
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原子力顯微鏡
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拉曼顯微鏡
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紅外光譜儀
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4D生物顯微鏡
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晶圓AOI系統
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晶圓電阻率/方塊電阻測量儀
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納米壓印系統
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光柵尺寸無損檢測儀
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磁控濺射/熱蒸發/電子束鍍膜系統
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LPCVD/PECVD
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干法刻蝕
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等離子灰化去膠系統
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晶圓勻膠機/噴膠機
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晶圓烤膠系統(熱板)
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濕法(顯影刻蝕清洗)系統
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晶圓貼片機/貼膜/解膠機
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棱鏡耦合儀
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快速退火爐/真空高溫爐
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光刻膠邊緣分析
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劃片機
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平面磨床/金屬研磨機
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接觸角測量儀